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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Confronto
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,077.3
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
61
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
34
Velocità di lettura, GB/s
3,835.2
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,077.3
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
606
2201
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
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