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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
47
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
40
Velocità di lettura, GB/s
9.3
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1893
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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