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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
総合得点
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
47
周辺 -18% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.7
9.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.6
5.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
40
読み出し速度、GB/s
9.3
11.7
書き込み速度、GB/秒
5.9
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1413
1893
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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