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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
47
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
47
45
Velocità di lettura, GB/s
9.3
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
1939
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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