RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2508
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link