RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2508
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link