RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2508
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link