RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
30
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
20
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3632
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link