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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
30
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
20
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
15.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3632
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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