RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
30
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3632
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link