RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
30
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
18
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3668
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link