Confronto tra le RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 30

Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.2 10.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.4 6.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 8500

Intorno 2.26 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1479 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns