RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2104
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link