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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
30
Rund um -20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.4
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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