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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2340
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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