RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
25
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2340
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link