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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
5.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
3.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
5.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
3.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
8500
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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