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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.6
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
3.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
30
29
读取速度,GB/s
10.6
5.7
写入速度,GB/s
6.8
3.0
内存带宽,mbps
8500
8500
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
609
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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