RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
74
Intorno 45% latenza inferiore
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
74
Velocità di lettura, GB/s
11.1
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1348
1925
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link