RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
48
Intorno 44% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
48
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
2080
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Mushkin 996902 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link