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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
2281
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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