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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
12.2
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3740
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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