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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Differenze
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3825
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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