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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
12.2
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
1901
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
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