RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
12.2
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
2306
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link