RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3135
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link