Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 32
    Intorno 31% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.7 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 8.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    22 left arrow 32
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.7 left arrow 10.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.7 left arrow 8.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3075 left arrow 2386
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti