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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3706
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OCZ OCZ2P800R21G 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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