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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
18.1
写入速度,GB/s
1,884.0
15.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3706
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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