RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
2895
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor M378B1G73DH0-CK0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link