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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
19.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
77
Intorno -235% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
23
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
19.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3964
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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