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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
60
77
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6.4
2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
4.2
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
60
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
6.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
4.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
1400
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
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