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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
68
Intorno -143% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
28
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
1728
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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