RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
68
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
1728
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link