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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
77
Intorno -221% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,884.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
24
Velocità di lettura, GB/s
2,936.9
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,884.0
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
564
3167
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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