RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
23
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
2960
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link