RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
36
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.1
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
23
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2657
2960
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link