RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
65
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
65
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2041
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Catalyst 256NU8 256MB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link