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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
65
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
65
读取速度,GB/s
11.6
16.4
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2041
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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