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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
7.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
11.6
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1770
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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