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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
28
Velocità di lettura, GB/s
11.6
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1989
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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