RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
41
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
23
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
3147
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link