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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
10.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
3025
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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