RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
9.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
37
Velocità di lettura, GB/s
10.9
9.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
1949
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link