RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de -3% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
37
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
1949
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link