RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
38
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.9
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1406
1949
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link