RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3041
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link