RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
44
Velocità di lettura, GB/s
12.3
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
1660
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link