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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Comparar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
44
Por volta de 2% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
44
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1706
1660
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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