RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
94
Por volta de -309% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
23
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3098
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link