Confronto tra le RAM SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 62

Intorno 40% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.2 7.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

16.7 9.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 14900

Intorno 1.29 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2065 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns